Book/Report FZJ-2019-00383

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Untersuchung der Si/SiGe-Heteroepitaxie mit der Rastertunnelmikroskopie



1995
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, Berichte des Forschungszentrums Jülich 3023, 151 p. ()

Please use a persistent id in citations:

Report No.: Juel-3023

Abstract: In dieser Arbeit wurde die Rastertunnelmikroskopie zur Untersuchung des heteroepitaktischen Si/SiGe- Schichtwachstums eingesetzt. Hierbei konnte nicht nur eine Charakterisierung von Oberflächen vorgenommen werden, sondern es gelang auch die Abbildung von Si/SiGe- Schichtsystemen im Querschnitt. Als grundlegendes Experiment zum heteroepitaktischen Si/SiGe- Wachstum wurde das Wachstum von SiGe- Schichten auf der Si(100)- Substratfläche untersucht. Die Oberflächenstruktur der Schichten wurde mit drei sich ergänzenden Methoden analysiert: - Die Rastertunnelmikroskopie ermöglichte eine direkte Abbildung der Oberflächenstruktur bis zur atomaren Auflösung. - Mit LEED (Beugung niederenergetischer Elektronen) als statistischer Charakterisierungmethode konnten Periodiziiäten der Oberfläche beobachtet werden. - Mit Hilfe der Augerelektronenspektroskopie wurde die stöchiometrische Zusammensetzung der SiGe- Schichten an der Oberfläche bestimmt. $\bullet$ Weitere Informationen über die Oberflächenstruktur konnten durch eine statistische Auswertung der Tunnelmikroskopbilder mit Hilfe der Autokovarianzfunktion gewonnen werden. Außerdem konnte durch die Interpretation der LEED- Beugungsbilder mit der kinematischen Beugungstheorie ein Modell für die Oberflächenstruktur der SiGe- Schichten bestimmt werden. Aus den Ergebnissen der Untersuchungen und ihrer Auswertung ergibt sich folgende Struktur der Oberfläche von SiGe-Schichten kleiner Ge- Konzentration (<35 %), die heteroepitaktisch auf Si(100)- Substraten mit der Molekularstrahlepitaxie abgeschieden wurden: Das Schichtwachstum mit MBE wird dominiert durch eine Ge- Segregation an der Oberfläche, wodurch bei ausreichender Schichtdicke mehrere Atomlagen an der Oberfläche der SiGe- Schichten fast ausschließlich aus Germanium bestehen. Hierdurch sind die SiGe- Schichten an der Oberfläche besonders stark verspannt. Daher findet eine Umordnung der von der Si(100)- Substratfläche bekannten 2 x 1- Überstruktur, die sich durch eine Dimerbildung der Oberflächenatome in geordneten Reihen ergibt, statt. Es ordnen sich Defekte fehlender Dimere, die auch bei der Si(100)- [...]


Contributing Institute(s):
  1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)
Research Program(s):
  1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

Database coverage:
OpenAccess
Click to display QR Code for this record

The record appears in these collections:
Document types > Reports > Reports
Document types > Books > Books
Workflow collections > Public records
Institute Collections > Retrocat
Publications database
Open Access

 Record created 2019-01-16, last modified 2021-01-30